掃描電鏡（SEM）中電子充電噪聲的產(chǎn)生，主要源于電子束與樣品之間的電荷相互作用，其原因可以分為以下幾類：

1. 樣品本身導(dǎo)電性不足

絕緣或半絕緣材料（如陶瓷、玻璃、高分子材料）無法將電子束注入的電子快速導(dǎo)走。

局部電子累積形成負(fù)電荷，改變二次電子發(fā)射行為，導(dǎo)致噪聲。

2. 樣品表面電阻不均

表面涂層、污染物、氧化層或局部雜質(zhì)會造成導(dǎo)電不均。

高導(dǎo)電區(qū)域和低導(dǎo)電區(qū)域之間形成電位差，使電子束掃描時信號波動，出現(xiàn)條紋或亮暗不均。

3. 電子束參數(shù)設(shè)置

加速電壓過高：更多電子轟擊絕緣表面，增加充電概率。

束流過大：單位時間注入的電子量增加，局部累積更快，噪聲更明顯。

4. 樣品幾何結(jié)構(gòu)影響

尖銳邊緣、微孔、顆粒表面容易產(chǎn)生電荷集中。

高曲率區(qū)域電荷積累快，二次電子信號受擾動明顯。

5. 真空環(huán)境與氣體影響

在高真空條件下，沒有空氣或離子氣體中和累積電荷，充電效應(yīng)更嚴(yán)重。

低真空或環(huán)境 SEM 可以通過氣體離子中和減輕充電噪聲。